SiC लेपित वेफर होल्डर

VeTek अर्धचालक एक पेशेवर निर्माता र चीन मा SiC लेपित वेफर होल्डर उत्पादनहरु को नेता हो। SiC लेपित वेफर होल्डर अर्धचालक प्रशोधनमा एपिटेक्सी प्रक्रियाको लागि वेफर होल्डर हो। यो एक अपरिवर्तनीय उपकरण हो जसले वेफरलाई स्थिर गर्दछ र एपिटेक्सियल तहको समान वृद्धि सुनिश्चित गर्दछ। तपाईको थप परामर्शलाई स्वागत छ।

सोधपुछ पठाउनुहोस्

उत्पादन विवरण

VeTek सेमीकन्डक्टरको SiC लेपित वेफर होल्डर सामान्यतया सेमीकन्डक्टर प्रसोधनको क्रममा वेफरहरू ठीक गर्न र समर्थन गर्न प्रयोग गरिन्छ। यो एक उच्च प्रदर्शन छवेफर वाहकव्यापक रूपमा अर्धचालक निर्माण मा प्रयोग। सिलिकन कार्बाइड (SiC) को सतहमा कोटिंग गरेरसब्सट्रेट, उत्पादनले प्रभावकारी रूपमा सब्सट्रेटलाई जंगबाट रोक्न सक्छ, र वेफर क्यारियरको जंग प्रतिरोध र मेकानिकल बल सुधार गर्न सक्छ, प्रशोधन प्रक्रियाको स्थिरता र सटीक आवश्यकताहरू सुनिश्चित गर्दै।

SiC लेपित वेफर होल्डरसामान्यतया सेमीकन्डक्टर प्रशोधन गर्दा वेफर्सहरू ठीक गर्न र समर्थन गर्न प्रयोग गरिन्छ। यो एक उच्च प्रदर्शन वेफर वाहक हो जुन अर्धचालक निर्माणमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ। को एक तह कोटिंग गरेरसिलिकन कार्बाइड (SiC)सब्सट्रेटको सतहमा, उत्पादनले प्रभावकारी रूपमा सब्सट्रेटलाई जंगबाट रोक्न सक्छ, र जंग प्रतिरोध र मेकानिकल बल सुधार गर्न सक्छ।वेफर क्यारियर, प्रशोधन प्रक्रियाको स्थिरता र सटीक आवश्यकताहरू सुनिश्चित गर्दै।

सिलिकन कार्बाइड (SiC) को लगभग 2,730°C को पिघलने बिन्दु छ र लगभग 120 - 180 W/m·K को उत्कृष्ट थर्मल चालकता छ। यो गुणले उच्च-तापमान प्रक्रियाहरूमा तातो छिट्टै फैलाउन सक्छ र वेफर र क्यारियर बीचको ओभरहेटिंग रोक्न सक्छ। त्यसैले, SiC लेपित वेफर होल्डरले सामान्यतया सिलिकन कार्बाइड (SiC) लेपित ग्रेफाइटलाई सब्सट्रेटको रूपमा प्रयोग गर्दछ।

SiC को अत्यधिक उच्च कठोरता (लगभग 2,500 HV को विकर्स कठोरता) सँग मिलाएर, CVD प्रक्रिया द्वारा जम्मा गरिएको सिलिकन कार्बाइड (SiC) कोटिंगले बाक्लो र बलियो सुरक्षात्मक कोटिंग बनाउन सक्छ, जसले SiC कोटेड वेफर होल्डरको पहिरन प्रतिरोधलाई धेरै सुधार गर्दछ। ।

VeTek सेमीकन्डक्टरको SiC कोटेड वेफर होल्डर SiC लेपित ग्रेफाइटबाट बनेको छ र आधुनिक अर्धचालक एपिटाक्सी प्रक्रियाहरूमा एक अपरिहार्य प्रमुख घटक हो। यसले चलाखीपूर्वक ग्रेफाइटको उत्कृष्ट थर्मल चालकता (थर्मल चालकता कोठाको तापक्रममा लगभग 100-400 W/m·K हुन्छ) र मेकानिकल बल, र उत्कृष्ट रासायनिक क्षरण प्रतिरोध र सिलिकन कार्बाइडको थर्मल स्थिरता (SIC को पिघलने बिन्दु लगभग हो। 2,730°C), आजको उच्च-अन्त अर्धचालकको कडा आवश्यकताहरू पूर्ण रूपमा पूरा गर्दछ उत्पादन वातावरण।

यो एकल-वेफर डिजाइन होल्डरले सही रूपमा नियन्त्रण गर्न सक्छepitaxial प्रक्रियाप्यारामिटरहरू, जसले उच्च-गुणस्तर, उच्च-प्रदर्शन अर्धचालक उपकरणहरू उत्पादन गर्न मद्दत गर्दछ। यसको अद्वितीय संरचनात्मक डिजाइनले सुनिश्चित गर्दछ कि वेफरलाई सम्पूर्ण प्रक्रियामा धेरै हेरचाह र सटीकताका साथ ह्यान्डल गरिएको छ, जसले गर्दा एपिटेक्सियल तहको उत्कृष्ट गुणस्तर सुनिश्चित गर्दछ र अन्तिम अर्धचालक उत्पादनको प्रदर्शन सुधार गर्दछ।

चीनको नेतृत्वको रूपमाSiC लेपितवेफर होल्डर निर्माता र नेता, VeTek सेमीकन्डक्टरले तपाईंको उपकरण र प्रक्रिया आवश्यकताहरू अनुसार अनुकूलित उत्पादनहरू र प्राविधिक सेवाहरू प्रदान गर्न सक्छ।हामी ईमानदारीपूर्वक चीनमा तपाईंको दीर्घकालीन साझेदार हुन आशा गर्दछौं.

CVD SIC फिल्म क्रिस्टल संरचनाको SEM डाटा

SEM DATA OF CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE

CVD SiC कोटिंग को आधारभूत भौतिक गुण

CVD SiC कोटिंग को आधारभूत भौतिक गुण
सम्पत्ति	सामान्य मान
क्रिस्टल संरचना	FCC β चरण polycrystalline, मुख्यतया (111) उन्मुख
SiC कोटिंग घनत्व	३.२१ ग्राम/सेमी³
SiC कोटिंग कठोरता	2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज आकार	2~10μm
रासायनिक शुद्धता	९९.९९९९५%
गर्मी क्षमता	640 J·kg^-१· के^-१
उदात्तीकरण तापमान	2700 ℃
लचिलो शक्ति	415 MPa RT 4-बिन्दु
युवाको मोडुलस	430 Gpa 4pt बेंड, 1300℃
थर्मल चालकता	300W·m^-१· के^-१
थर्मल विस्तार (CTE)	४.५ × १०^-६K^-१