TaC कोटिंग हीटर

VeTek Semiconductor चीन मा TaC कोटिंग हीटर को एक अग्रणी निर्माता र आविष्कारक हो। यो उत्पादन एक अत्यन्त उच्च पिघलने बिन्दु छ (लगभग 3880 डिग्री सेल्सियस)। TaC कोटिंग हीटरको उच्च पग्लने बिन्दुले यसलाई अत्यधिक उच्च तापक्रममा सञ्चालन गर्न सक्षम बनाउँछ, विशेष गरी धातुको जैविक रासायनिक भाप डिपोजिसन (MOCVD) प्रक्रियामा ग्यालियम नाइट्राइड (GaN) एपिटेक्सियल तहहरूको वृद्धिमा। VeTek Semiconductor अर्धचालक उद्योगको लागि उन्नत प्रविधि र उत्पादन समाधान प्रदान गर्न प्रतिबद्ध छ। हामी चीनमा तपाईंको दीर्घकालीन साझेदार बन्न तत्पर छौं।

सोधपुछ पठाउनुहोस्

उत्पादन विवरण

TaC कोटिंग हीटर एक उच्च-प्रदर्शन ताप तत्व हो जुन अर्धचालक निर्माण प्रक्रियाहरूमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ। यसको सतहलाई ट्यान्टलम कार्बाइड (TaC) सामग्रीले लेपित गरिएको छ, जसले हीटरलाई उत्कृष्ट उच्च तापक्रम प्रतिरोध, रासायनिक क्षरण प्रतिरोध र उत्कृष्ट थर्मल चालकता दिन्छ।

अर्धचालक निर्माणमा TaC कोटिंग हीटरको मुख्य अनुप्रयोगहरू समावेश छन्:

ग्यालियम नाइट्राइड (GaN) epitaxial वृद्धि प्रक्रियाको बखत, TaC कोटिंग हीटरले एक समान दर र उच्च गुणस्तरमा सब्सट्रेटमा एपिटेक्सियल तह जम्मा भएको सुनिश्चित गर्नको लागि सटीक रूपमा नियन्त्रण गरिएको उच्च तापमान वातावरण प्रदान गर्दछ। यसको स्थिर तातो आउटपुटले पातलो फिल्म सामग्रीहरूको सटीक नियन्त्रण प्राप्त गर्न मद्दत गर्दछ, जसले गर्दा उपकरणको प्रदर्शनमा सुधार हुन्छ।

यसबाहेक, धातुको जैविक रासायनिक वाष्प निक्षेप (MOCVD) प्रक्रियामा, उच्च तापमान प्रतिरोध र TaC कोटिंगको थर्मल चालकताको साथमा, TaC कोटिंग हीटर सामान्यतया प्रतिक्रिया ग्यासलाई तताउन प्रयोग गरिन्छ, र समान ताप वितरण प्रदान गरेर, यसले बढावा दिन्छ। सब्सट्रेट सतहमा यसको रासायनिक प्रतिक्रिया, जसले गर्दा एपिटेक्सियल तहको एकरूपतामा सुधार हुन्छ र उच्च गुणस्तरको फिल्म बनाउँछ।

TaC कोटिंग हीटर उत्पादनहरूमा एक उद्योग नेताको रूपमा, VeTek Semiconducto ले सधैं उत्पादन अनुकूलन सेवाहरू र सन्तोषजनक उत्पादन मूल्यहरूलाई समर्थन गर्दछ। तपाईंको विशेष आवश्यकताहरू जे भए पनि, हामी तपाईंको TaC कोटिंग हीटर आवश्यकताहरूको लागि उत्तम समाधान मिलाउनेछौं, र कुनै पनि समयमा तपाईंको परामर्शको लागि तत्पर हुनेछौं।

TaC कोटिंग हीटरको आधारभूत भौतिक गुणहरू:

TaC कोटिंग को भौतिक गुण
घनत्व	14.3 (g/cm³)
विशिष्ट उत्सर्जन	0.3
थर्मल विस्तार गुणांक	६.३ १०-६/के
कठोरता (HK)	2000 HK
प्रतिरोध	१×१०-५ ओम* सेमी
थर्मल स्थिरता	<2500℃
ग्रेफाइट आकार परिवर्तन	-10~-20um
कोटिंग मोटाई	≥20um विशिष्ट मान (35um±10um)