LPE PE2061S को लागि SiC लेपित ब्यारेल ससेप्टर

VeTek सेमीकन्डक्टर LPE PE2061S निर्माता र चीनमा आविष्कारकको लागि अग्रणी SiC कोटेड ब्यारेल ससेप्टर हो। हामी धेरै वर्षदेखि SiC कोटिंग सामग्रीमा विशेषज्ञता भएका छौं। हामी LPE PE2061S 4'' वेफरहरूको लागि विशेष रूपमा डिजाइन गरिएको SiC-कोटेड ब्यारेल ससेप्टर प्रस्ताव गर्दछौं। यस ससेप्टरमा टिकाऊ सिलिकन कार्बाइड कोटिंग सुविधा छ जसले LPE (लिक्विड फेज एपिटेक्सी) प्रक्रियामा कार्यसम्पादन र स्थायित्व बढाउँछ। चीनमा रहेको हाम्रो कारखाना भ्रमण गर्न हामी तपाईंलाई स्वागत गर्दछौं।

सोधपुछ पठाउनुहोस्

उत्पादन विवरण

VeTek सेमीकन्डक्टर एक पेशेवर चीन SiC लेपित ब्यारेल ससेप्टर को लागी होLPE PE2061Sनिर्माता र आपूर्तिकर्ता।

LPE PE2061S को लागि VeTeK सेमीकन्डक्टर SiC-कोटेड ब्यारेल ससेप्टर एक उच्च प्रदर्शन उत्पादन हो जुन उच्च शुद्ध आइसोट्रोपिक ग्रेफाइटको सतहमा सिलिकन कार्बाइडको राम्रो तह लगाएर सिर्जना गरिएको हो। यो VeTeK सेमीकन्डक्टरको स्वामित्व मार्फत प्राप्त हुन्छरासायनिक वाष्प निक्षेप (CVD)प्रक्रिया।

LPE PE2061S को लागि हाम्रो SiC कोटेड ब्यारेल ससेप्टर एक प्रकारको CVD epitaxial डिपोजिसन ब्यारेल रिएक्टर हो जुन चरम वातावरणमा भरपर्दो प्रदर्शन प्रदान गर्न डिजाइन गरिएको हो। यसको असाधारण कोटिंग आसंजन, उच्च-तापमान ओक्सीकरण प्रतिरोध, र जंग प्रतिरोधले यसलाई कठोर परिस्थितिहरूमा प्रयोगको लागि उत्कृष्ट विकल्प बनाउँछ। थप रूपमा, यसको एकसमान थर्मल प्रोफाइल र लामिनार ग्यास प्रवाह ढाँचाले उच्च-गुणस्तरको एपिटेक्सियल वृद्धि सुनिश्चित गर्दै प्रदूषणलाई रोक्छ।

हाम्रो अर्धचालकको ब्यारेल आकारको डिजाइनepitaxial रिएक्टरसमान ताप वितरण सुनिश्चित गर्दै, लामिनार ग्यास प्रवाह ढाँचाहरू अनुकूलन गर्दछ। यसले कुनै पनि प्रदूषण वा अशुद्धताको फैलावट रोक्न मद्दत गर्दछ,वेफर सब्सट्रेटहरूमा उच्च-गुणस्तरको एपिटेक्सियल वृद्धि सुनिश्चित गर्दै.

हामी हाम्रा ग्राहकहरूलाई उच्च गुणस्तर, लागत-प्रभावी उत्पादनहरू प्रदान गर्न समर्पित छौं। हाम्रो CVD SiC लेपित ब्यारेल ससेप्टरले दुबैको लागि उत्कृष्ट घनत्व कायम राख्दै मूल्य प्रतिस्पर्धाको फाइदा प्रदान गर्दछ।ग्रेफाइट सब्सट्रेटरसिलिकन कार्बाइड कोटिंग, उच्च-तापमान र संक्षारक काम गर्ने वातावरणमा भरपर्दो सुरक्षा प्रदान गर्दै।

CVD SIC फिल्म क्रिस्टल संरचनाको SEM डाटा:

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

एकल क्रिस्टल वृद्धिको लागि SiC-लेपित ब्यारेल ससेप्टरले धेरै उच्च सतह चिकनीता प्रदर्शन गर्दछ।

यसले ग्रेफाइट सब्सट्रेट र बीचको थर्मल विस्तार गुणांकको भिन्नतालाई कम गर्छ।

सिलिकन कार्बाइड कोटिंग, प्रभावकारी रूपमा बन्धन बल सुधार र क्र्याकिंग र डेलामिनेशन रोक्न।

दुबै ग्रेफाइट सब्सट्रेट र सिलिकन कार्बाइड कोटिंगमा उच्च थर्मल चालकता र उत्कृष्ट थर्मल वितरण क्षमताहरू छन्।

यो एक उच्च पिघलने बिन्दु, उच्च तापमान छओक्सीकरण प्रतिरोध, रजंग प्रतिरोध.

CVD SiC कोटिंग को आधारभूत भौतिक गुण:

CVD SiC कोटिंग को आधारभूत भौतिक गुण
सम्पत्ति	सामान्य मान
क्रिस्टल संरचना	FCC β चरण polycrystalline, मुख्यतया (111) उन्मुख
घनत्व	३.२१ ग्राम/सेमी³
कठोरता	2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज साइज	2~10μm
रासायनिक शुद्धता	९९.९९९९५%
गर्मी क्षमता	640 J·kg^-१· के^-१
उदात्तीकरण तापमान	2700 ℃
फ्लेक्सरल शक्ति	415 MPa RT 4-बिन्दु
युवाको मोडुलस	430 Gpa 4pt बेंड, 1300℃
थर्मल चालकता	300W·m^-१· के^-१
थर्मल विस्तार (CTE)	४.५ × १०^-६K^-१