TaC कोटिंग गाइड रिंग

VeTek सेमीकन्डक्टरको TaC कोटिंग गाइड रिंग रासायनिक भाप डिपोजिसन (CVD) भनिने उच्च उन्नत प्रविधि प्रयोग गरेर ग्रेफाइट भागहरूमा ट्यान्टलम कार्बाइड कोटिंग लागू गरेर सिर्जना गरिएको हो। यो विधि राम्रोसँग स्थापित छ र असाधारण कोटिंग गुणहरू प्रदान गर्दछ। TaC कोटिंग गाइड रिंग प्रयोग गरेर, ग्रेफाइट घटकहरूको आयु महत्त्वपूर्ण रूपमा विस्तार गर्न सकिन्छ, ग्रेफाइट अशुद्धताहरूको आन्दोलनलाई दबाउन सकिन्छ, र SiC र AIN एकल क्रिस्टल गुणस्तर विश्वसनीय रूपमा कायम गर्न सकिन्छ। हामीलाई सोधपुछ गर्न स्वागत छ।

सोधपुछ पठाउनुहोस्

उत्पादन विवरण

VeTek सेमीकन्डक्टर एक पेशेवर चीन TaC कोटिंग गाइड रिंग, TaC कोटिंग क्रूसिबल, बीउ होल्डर निर्माता र आपूर्तिकर्ता हो।

TaC कोटिंग क्रुसिबल, बीउ होल्डर र TaC कोटिंग गाइड रिंग SiC र AIN एकल क्रिस्टल फर्नेस PVT विधि द्वारा हुर्काइएको थियो।

जब भौतिक भाप परिवहन विधि (PVT) को SiC तयार गर्न प्रयोग गरिन्छ, बीज क्रिस्टल अपेक्षाकृत कम तापमान क्षेत्रमा छ, र SiC कच्चा माल अपेक्षाकृत उच्च तापमान क्षेत्र (2400 ℃ माथि) मा छ। कच्चा मालको विघटनले SiXCy उत्पादन गर्छ (मुख्यतया Si, SiC₂, Si₂C, आदि सहित)। वाष्प चरण सामग्री उच्च तापक्रम क्षेत्रबाट कम तापक्रम क्षेत्रमा बीज क्रिस्टलमा सारिन्छ, र न्यूक्लिट्स र बढ्छ। एकल क्रिस्टल बनाउन। यस प्रक्रियामा प्रयोग हुने थर्मल फिल्ड सामाग्री, जस्तै क्रुसिबल, फ्लो गाइड रिङ, सीड क्रिस्टल होल्डर, उच्च तापक्रममा प्रतिरोधी हुनुपर्छ र SiC कच्चा पदार्थ र SiC एकल क्रिस्टललाई प्रदूषित गर्दैन। त्यसै गरी, AlN एकल क्रिस्टलको वृद्धिमा ताप तत्वहरू अल वाष्प, N₂ क्षरण प्रतिरोधी हुन आवश्यक छ, र क्रिस्टल तयारी अवधि छोटो गर्न उच्च इयुटेटिक तापमान (र AlN) हुनु आवश्यक छ।

यो फेला पर्यो कि TaC लेपित ग्रेफाइट थर्मल फिल्ड सामाग्री द्वारा बनाईएको SiC र AlN सफा थियो, लगभग कुनै कार्बन (अक्सिजन, नाइट्रोजन) र अन्य अशुद्धताहरू, कम किनारा दोषहरू, प्रत्येक क्षेत्रमा सानो प्रतिरोधात्मकता, र माइक्रोपोर घनत्व र नक्काशी पिट घनत्व थियो। उल्लेखनीय रूपमा कम भयो (KOH एचिंग पछि), र क्रिस्टलको गुणस्तर धेरै सुधारिएको थियो। थप रूपमा, TaC क्रुसिबल वजन घटाने दर लगभग शून्य छ, उपस्थिति गैर विनाशकारी छ, पुन: प्रयोग गर्न सकिन्छ (200h सम्म जीवन), यस्तो एकल क्रिस्टल तयारीको स्थिरता र दक्षता सुधार गर्न सक्छ।

TaC कोटिंग गाइड रिंग को उत्पादन प्यारामिटर:

TaC कोटिंग को भौतिक गुण
घनत्व	14.3 (g/cm³)
विशिष्ट उत्सर्जन	0.3
थर्मल विस्तार गुणांक	६.३ १०-६/के
कठोरता (HK)	2000 HK
प्रतिरोध	१×१०-५ ओम* सेमी
थर्मल स्थिरता	<2500℃
ग्रेफाइट आकार परिवर्तन	-10~-20um
कोटिंग मोटाई	≥20um विशिष्ट मान (35um±10um)