इन्सुलेटर वेफरमा सिलिकन

को कार्य सिद्धान्तVeTek अर्धचालककोसिलिकन अन इन्सुलेटर वेफरमुख्यतया यसको अद्वितीय संरचना र भौतिक गुणहरूमा निर्भर गर्दछ। र SOI वेफरतीन तहहरू मिलेर बनेका छन्: माथिल्लो तह एकल-क्रिस्टल सिलिकन उपकरण तह हो, बीचमा इन्सुलेट गर्ने बरिड ओक्साइड (BOX) तह हो, र तल्लो तह समर्थन गर्ने सिलिकन सब्सट्रेट हो।

इन्सुलेशन तह को गठन: सिलिकन अन इन्सुलेटर वेफर सामान्यतया Smart Cut™ टेक्नोलोजी वा SIMOX (Implanted Oxygen द्वारा अलग) प्रविधि प्रयोग गरी निर्मित हुन्छ। Smart Cut™ प्रविधिले सिलिकन वेफरमा हाइड्रोजन आयनहरू इन्जेक्ट गर्छ र बबल तह बनाउनको लागि हाइड्रोजन-इन्जेक्टेड वेफरलाई समर्थन गर्ने सिलिकन वेफरमा बाँड्छ। तातो उपचार पछि, हाइड्रोजन-इन्जेक्टेड वेफर बबल तहबाट SOI संरचना बनाउन विभाजित हुन्छ। SIMOX टेक्नोलोजीले उच्च तापक्रममा सिलिकन अक्साइड तह बनाउन सिलिकन वेफरहरूमा उच्च-ऊर्जा अक्सिजन आयनहरू प्रत्यारोपण गर्दछ।

परजीवी क्षमता घटाउनुहोस्: को बक्स तहइन्सुलेटर वेफरमा सिलिकनप्रभावकारी रूपमा उपकरण तह र आधार सिलिकन अलग गर्दछ, उल्लेखनीय रूपमा परजीवी क्षमता घटाउँछ। यो अलगावले पावर खपत घटाउँछ र यन्त्रको गति र कार्यसम्पादन बढाउँछ।

लच-अप प्रभावहरूबाट बच्नुहोस्: मा n-वेल र p-वेल यन्त्रहरूSOI वेफरपरम्परागत CMOS संरचनाहरूमा लच-अप प्रभावलाई बेवास्ता गर्दै, पूर्ण रूपमा अलग गरिएको छ। यसले अनुमति दिन्छसिलिकन अन इन्सुलेटर वेफर उच्च गतिमा उत्पादन गर्न।

Etch स्टप प्रकार्य: एकल क्रिस्टल सिलिकन उपकरण तह र SOI वेफरको BOX तह संरचनाले उत्कृष्ट ईच स्टप प्रकार्य प्रदान गर्दै MEMS र अप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको निर्माणलाई सहज बनाउँछ।

यी विशेषताहरू मार्फत,इन्सुलेटर वेफरमा सिलिकनअर्धचालक प्रशोधनमा महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छ र एकीकृत सर्किट (आईसी) र माइक्रो इलेक्ट्रोमेकानिकल प्रणाली (MEMS) उद्योगहरूको निरन्तर विकासलाई बढावा दिन्छ। हामी ईमानदारीपूर्वक तपाईसँग थप सञ्चार र सहयोगको लागि तत्पर छौं।

उत्पादन प्यारामिटर：

उत्पादन पसलहरू:

अर्धचालक चिप epitaxy उद्योग श्रृंखला को सिंहावलोकन：