SiC लेपित ICP नक्काशी क्यारियर

VeTek सेमीकन्डक्टरको SiC कोटेड ICP Etching क्यारियर सबैभन्दा बढी माग गर्ने एपिटाक्सी उपकरण अनुप्रयोगहरूको लागि डिजाइन गरिएको हो। उच्च गुणस्तरको अल्ट्रा-शुद्ध ग्रेफाइट सामग्रीबाट बनेको, हाम्रो SiC कोटेड ICP Etching वाहकसँग ह्यान्डलिङको समयमा कठोर परिस्थितिहरूको सामना गर्न उच्च समतल सतह र उत्कृष्ट जंग प्रतिरोध छ। SiC लेपित क्यारियरको उच्च थर्मल चालकताले उत्कृष्ट नक्काशी परिणामहरूको लागि पनि तातो वितरण सुनिश्चित गर्दछ। VeTek Semiconductor तपाईंसँग दीर्घकालीन साझेदारी निर्माण गर्न तत्पर छ।

सोधपुछ पठाउनुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादनमा वर्षौंको अनुभवको साथ SiC लेपित ICP Etching क्यारियर, VeTek सेमीकन्डक्टरले एक विस्तृत श्रृंखला आपूर्ति गर्न सक्छ।SiC coatedवाTaC लेपितअर्धचालक उद्योगका लागि स्पेयर पार्ट्स। तलको उत्पादन सूचीको अतिरिक्त, तपाइँ तपाइँको विशेष आवश्यकताहरु अनुसार तपाइँको आफ्नै अद्वितीय SiC लेपित वा TaC लेपित भागहरु लाई पनि अनुकूलित गर्न सक्नुहुन्छ। हामीलाई सोधपुछ गर्न स्वागत छ।

VeTek सेमीकन्डक्टरको SiC कोटेड ICP Etching वाहक, ICP वाहकहरू, PSS वाहकहरू, RTP वाहकहरू, वा RTP वाहकहरू पनि भनिन्छ, सेमीकन्डक्टर उद्योगमा विभिन्न प्रकारका अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग हुने महत्त्वपूर्ण कम्पोनेन्टहरू हुन्। सिलिकन कार्बाइड लेपित ग्रेफाइट यी वर्तमान वाहकहरू निर्माण गर्न प्रयोग गरिने प्राथमिक सामग्री हो। यसमा उच्च थर्मल चालकता छ, नीलमणि सब्सट्रेटको 10 गुणा भन्दा बढी थर्मल चालकता। यो गुण, यसको उच्च रोलर बिजुली क्षेत्र बल र अधिकतम वर्तमान घनत्व संग संयुक्त, विभिन्न अनुप्रयोगहरूमा विशेष गरी सेमीकन्डक्टर उच्च-शक्ति घटकहरूमा सिलिकन को लागी सम्भावित प्रतिस्थापन को रूप मा सिलिकन कार्बाइड को अन्वेषण को लागी प्रेरित गरेको छ। SiC हालको क्यारियर प्लेटहरूमा उच्च थर्मल चालकता छ, तिनीहरूलाई लागि आदर्श बनाउँछएलईडी निर्माण प्रक्रियाहरू।

तिनीहरूले कुशल तातो अपव्यय सुनिश्चित गर्दछ र उत्कृष्ट विद्युत चालकता प्रदान गर्दछ, उच्च-शक्ति एलईडीहरूको उत्पादनमा योगदान पुर्‍याउँछ। थप रूपमा, यी क्यारियर प्लेटहरू उत्कृष्ट छन्प्लाज्मा प्रतिरोधर लामो सेवा जीवन, माग गरिएको अर्धचालक निर्माण वातावरणमा भरपर्दो प्रदर्शन र जीवन सुनिश्चित गर्दै।

SiC लेपित ICP नक्काशी क्यारियर को उत्पादन प्यारामिटर:

को आधारभूत भौतिक गुणहरूCVD SiC कोटिंग
सम्पत्ति	सामान्य मान
क्रिस्टल संरचना	FCC β चरण polycrystalline, मुख्यतया (111) उन्मुख
घनत्व	३.२१ ग्राम/सेमी³
कठोरता	2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज साइज	2~10μm
रासायनिक शुद्धता	९९.९९९९५%
गर्मी क्षमता	640 J·kg^-१· के^-१
उदात्तीकरण तापमान	2700 ℃
लचिलो शक्ति	415 MPa RT 4-बिन्दु
युवाको मोडुलस	430 Gpa 4pt बेंड, 1300℃
थर्मल चालकता	300W·m^-१· के^-१
थर्मल विस्तार (CTE)	4.5×10-6K^-१