उच्च शुद्धता SiC वेफर डुङ्गा वाहक

VeTek सेमीकन्डक्टरले अनुकूलित उच्च शुद्धता SiC वेफर डुङ्गा वाहक प्रदान गर्दछ। उच्च शुद्धता सिलिकन कार्बाइडबाट बनेको, यसले वेफरलाई ठाउँमा राख्नको लागि स्लटहरू प्रदान गर्दछ, यसलाई प्रशोधनको क्रममा स्लाइड गर्नबाट रोक्छ। आवश्यक भएमा CVD SiC कोटिंग पनि उपलब्ध छ। एक पेशेवर र बलियो अर्धचालक निर्माता र आपूर्तिकर्ताको रूपमा, VeTek सेमीकन्डक्टरको उच्च शुद्धता SiC वेफर डुङ्गा वाहक मूल्य प्रतिस्पर्धी र उच्च गुणस्तर हो। VeTek Semiconductor चीनमा तपाईंको दीर्घकालीन साझेदार हुन तत्पर छ।

सोधपुछ पठाउनुहोस्

उत्पादन विवरण

VeTekSemi उच्च शुद्धता SiC वेफर डुङ्गा वाहक अर्धचालक निर्माण प्रक्रियामा एनिलिङ फर्नेस, डिफ्युजन फर्नेस र अन्य उपकरणहरूमा प्रयोग हुने महत्त्वपूर्ण असर कम्पोनेन्ट हो। उच्च शुद्धता SiC वेफर डुङ्गा वाहक सामान्यतया उच्च शुद्धता सिलिकन कार्बाइड सामग्रीबाट बनेको हुन्छ र मुख्य रूपमा निम्न भागहरू समावेश गर्दछ:

• डुङ्गा समर्थन शरीर: कोष्ठक जस्तै संरचना, विशेष रूपमा बोक्न प्रयोग गरिन्छसिलिकन वेफर्सवा अन्य अर्धचालक सामग्री।

• समर्थन संरचना: यसको समर्थन संरचना डिजाइनले यसलाई उच्च तापमानमा भारी भार सहन सक्षम बनाउँछ र उच्च तापमान उपचारको समयमा विकृत वा क्षति गर्दैन।

silicon carbide material

सिलिकन कार्बाइड सामाग्री

को भौतिक गुणहरूपुन: स्थापित सिलिकन कार्बाइड：

सम्पत्ति	सामान्य मान
काम गर्ने तापमान (°C)	1600°C (अक्सिजन सहित), 1700°C (वातावरण घटाउने)
SiC सामग्री	> 99.96%
नि: शुल्क Si सामग्री	< ०.१%
बल्क घनत्व	2.60-2.70 g/cm3
स्पष्ट porosity	<16%
कम्प्रेसन बल	> 600 MPa
चिसो झुकाउने शक्ति	80-90 MPa (20°C)
तातो झुकाउने शक्ति	90-100 MPa (1400°C)
थर्मल विस्तार @1500°C	४.७०*१०^-६/°से
थर्मल चालकता @1200°C	२३ W/m•K
लोचदार मोड्युलस	लोचदार मोड्युलस 240 GPa
थर्मल झटका प्रतिरोध	अति राम्रो

यदि उत्पादन प्रक्रिया आवश्यकताहरू उच्च छन् भने,CVD SiC कोटिंगउच्च शुद्धता SiC वेफर डुङ्गा वाहकमा प्रदर्शन गर्न सकिन्छ शुद्धता 99.99995% भन्दा बढी पुग्नको लागि, यसको उच्च तापमान प्रतिरोधलाई अझ सुधार गर्दै।

CVD SiC कोटिंग को आधारभूत भौतिक गुण:

सम्पत्ति	सामान्य मान
क्रिस्टल संरचना	FCC β चरण polycrystalline, मुख्यतया (111) उन्मुख
घनत्व	३.२१ ग्राम/सेमी³
कठोरता	2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज साइज	2~10μm
रासायनिक शुद्धता	९९.९९९९५%
गर्मी क्षमता	640 J·kg^-१· के^-१
उदात्तीकरण तापमान	2700 ℃
फ्लेक्सरल शक्ति	415 MPa RT 4-बिन्दु
युवाको मोडुलस	430 Gpa 4pt बेंड, 1300℃
थर्मल चालकता	300W·m^-१· के^-१
थर्मल विस्तार (CTE)	४.५ × १०^-६K^-१

उच्च तापक्रम उपचारको क्रममा, उच्च शुद्धता SiC वेफर डुङ्गा वाहकले सिलिकन वेफरलाई स्थानीय ओभरहेटिंगबाट बच्न समान रूपमा तताउन सक्षम बनाउँछ। थप रूपमा, सिलिकन कार्बाइड सामग्रीको उच्च तापमान प्रतिरोधले यसलाई 1200 डिग्री सेल्सियस वा त्योभन्दा माथिको तापक्रममा संरचनात्मक स्थिरता कायम राख्न सक्षम बनाउँछ। working principle of High purity SiC wafer boat carrier

फैलावट वा एनेलिङ प्रक्रियाको क्रममा, क्यान्टिलिभर प्याडल र उच्च शुद्धता SiC वेफर डुङ्गा वाहक सँगै काम गर्दछ। दक्यान्टिलिभर प्याडलसिलिकन वेफरलाई फर्नेस च्याम्बरमा लैजाने उच्च शुद्धता SiC वेफर डुङ्गा वाहकलाई बिस्तारै धकेल्छ र प्रशोधनको लागि निर्दिष्ट स्थानमा रोक्छ।

उच्च शुद्धता SiC वेफर डुङ्गा वाहकले सिलिकन वेफरसँग सम्पर्क कायम राख्छ र गर्मी उपचार प्रक्रियाको क्रममा एक विशिष्ट स्थितिमा स्थिर हुन्छ, जबकि क्यान्टिलभर प्याडलले तापमान एकरूपता सुनिश्चित गर्दै सम्पूर्ण संरचनालाई सही स्थितिमा राख्न मद्दत गर्दछ।

उच्च शुद्धता SiC वेफर डुङ्गा वाहक र क्यान्टिलिभर प्याडलले उच्च तापमान प्रक्रियाको शुद्धता र स्थिरता सुनिश्चित गर्न सँगै काम गर्दछ।

VeTek सेमीकन्डक्टरले तपाइँलाई तपाइँको आवश्यकता अनुसार अनुकूलित उच्च शुद्धता SiC वेफर डुङ्गा वाहक प्रदान गर्दछ। तपाईको सोधपुछको लागि तत्पर छ।

VeTek अर्धचालकउच्च शुद्धता SiC वेफर डुङ्गा वाहक पसलहरू:

VeTek Semiconductor High purity SiC wafer boat carrier shops