> समाचार

समाचार

SiC सिंगल क्रिस्टल ग्रोथको लागि थर्मल फिल्ड डिजाइन

पावर इलेक्ट्रोनिक्स, ओप्टोइलेक्ट्रोनिक्स र अन्य क्षेत्रहरूमा SiC सामग्रीको बढ्दो मागको साथ, SiC एकल क्रिस्टल विकास प्रविधिको विकास वैज्ञानिक र प्राविधिक नवाचारको प्रमुख क्षेत्र बन्नेछ। SiC एकल क्रिस्टल वृद्धि उपकरणको कोरको रूपमा, थर्मल फिल्ड डिजाइनले व्यापक ध्यान र गहिरो अनुसन्धान प्राप्त गर्न जारी ......

थप पढ्नुहोस्

चिप निर्माण: MOSFET को एक प्रक्रिया प्रवाह

चिप निर्माण प्रक्रियामा फोटोलिथोग्राफी, नक्काशी, प्रसार, पातलो फिल्म, आयन इम्प्लान्टेशन, केमिकल मेकानिकल पालिसिङ, क्लिनिङ, आदि समावेश छन्। यस लेखले MOSFET निर्माण गर्न यी प्रक्रियाहरूलाई क्रमबद्ध रूपमा कसरी एकीकृत गरिन्छ भनी वर्णन गर्दछ।

थप पढ्नुहोस्

3C SiC को विकास इतिहास

निरन्तर प्राविधिक प्रगति र गहिरो संयन्त्र अनुसन्धान मार्फत, 3C-SiC heteroepitaxial टेक्नोलोजीले अर्धचालक उद्योगमा अझ महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्ने र उच्च दक्षता इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको विकासलाई बढावा दिने अपेक्षा गरिएको छ।

थप पढ्नुहोस्

ALD परमाणु तह निक्षेप नुस्खा

स्थानिय ALD, स्थानिय पृथक परमाणु तह निक्षेप। वेफर विभिन्न स्थानहरू बीच चल्छ र प्रत्येक स्थितिमा विभिन्न पूर्ववर्तीहरूमा उजागर हुन्छ। तलको चित्र परम्परागत ALD र spatially पृथक ALD बीचको तुलना हो।

थप पढ्नुहोस्

ट्यान्टलम कार्बाइड टेक्नोलोजी सफलता, SiC epitaxial प्रदूषण 75% ले घट्यो?

भर्खरै, जर्मन अनुसन्धान संस्थान Fraunhofer IISB ले ट्यान्टलम कार्बाइड कोटिंग टेक्नोलोजीको अनुसन्धान र विकासमा सफलता हासिल गरेको छ, र CVD डिपोजिसन समाधान भन्दा बढी लचिलो र वातावरण मैत्री स्प्रे कोटिंग समाधानको विकास गरेको छ, र व्यापारीकरण गरिएको छ।

थप पढ्नुहोस्

अर्धचालक उद्योगमा थ्रीडी प्रिन्टिङ प्रविधिको अन्वेषणात्मक अनुप्रयोग

द्रुत प्राविधिक विकासको युगमा, थ्रीडी प्रिन्टिङ, उन्नत उत्पादन प्रविधिको महत्त्वपूर्ण प्रतिनिधिको रूपमा, बिस्तारै परम्परागत निर्माणको अनुहार परिवर्तन गर्दैछ। टेक्नोलोजीको निरन्तर परिपक्वता र लागतमा कमीको साथ, थ्रीडी प्रिन्टिङ टेक्नोलोजीले एयरोस्पेस, अटोमोबाइल निर्माण, चिकित्सा उपकरण, र वास्तुकला डिज......

थप पढ्नुहोस्

<...6 7 8 9 10 >